发明名称 纳米机电结构和它的制造方法
摘要 本发明涉及一种微机电和纳米机电设备及其生产方法。所述创造性方法的其中一个改变是基于对自组织和自校准机械设备的运用来生产纳米机电结构,由此与传统照相平板印刷术相比,使其基本几何参数不再受到限制,这使得集成度能够达到1016m-2或更高。此外,本发明的一个创造性方面以其独立选取坐标的形式运用所述元件的工行怎频率,由此降低了要求互连的密度。本发明的其他方面提供了一种对给定气体或颗粒表现出极高测量灵敏度的气体传感器,其具有多用途且选择灵活的机械设备和可控制的感应能力恢复过程。本创造性结构为测量振荡元件的共振频率提供了一种简便的方法,所述方法不要求高频信号分析。
申请公布号 CN101795962B 申请公布日期 2013.04.17
申请号 CN200880103589.0 申请日期 2008.05.28
申请人 S·V·哈特夫;V·K·涅沃林 发明人 S·V·哈特夫;V·K·涅沃林;M·M·西穆宁
分类号 B82B1/00(2006.01)I;B82B3/00(2006.01)I 主分类号 B82B1/00(2006.01)I
代理机构 永新专利商标代理有限公司 72002 代理人 刘兴鹏
主权项 一种用于传感器技术和微电子领域的结构,包含:至少一个具有电导率的受控元件;至少一个输入电极,所述输入电极与受控元件电接触;至少一个输出电极,所述输出电极与受控元件空间隔开并与之静电耦合,其中至少部分输出电极是由这样的材料制成,即所述材料在由受控元件介导的物理或化学反应下进行不可逆的物理或机械变化;或者,至少部分受控元件是由这样的材料制成,即所述材料在由输出电极介导的物理或化学反应下进行不可逆的物理或机械变化。
地址 俄罗斯联邦热列兹诺哥尔斯克