发明名称 |
RFLDMOS中连接阱和基板的电连接结构及制造方法 |
摘要 |
本发明公开了一种RFLDMOS中连接阱和基板的电连接结构及制造方法,在P型基板上生长P型外延;生长氧化硅热氧层,其上淀积氮化硅层;光刻和干刻形成场氧开口;淀积氧化硅阻挡层,光刻和干刻打开场氧开口处的氧化硅阻挡层,刻蚀P型外延至基板上形成沟槽;湿法去除氧化硅阻挡层,生长场氧;光刻和湿法刻蚀去除沟槽内的场氧,进行小角度大剂量P型离子注入;淀积非掺杂多晶硅;回刻去除氮化硅层上面的多晶硅;再次进行热氧化;光刻和湿法刻蚀去除沟槽上的热氧化层,向沟槽内的多晶硅垂直注入P型离子;进行热开销使注入离子扩散。本发明降低了电阻,完全满足MOS管接地端通过硅晶片背面引出的要求,并降低接地金属连线引起的高电感对射频性能的影响。 |
申请公布号 |
CN103035610A |
申请公布日期 |
2013.04.10 |
申请号 |
CN201210187195.6 |
申请日期 |
2012.06.08 |
申请人 |
上海华虹NEC电子有限公司 |
发明人 |
周正良;遇寒;蔡莹 |
分类号 |
H01L23/52(2006.01)I;H01L21/768(2006.01)I |
主分类号 |
H01L23/52(2006.01)I |
代理机构 |
上海浦一知识产权代理有限公司 31211 |
代理人 |
丁纪铁 |
主权项 |
一种RFLDMOS中连接阱和基板的电连接结构,所述RFLDMOS包括P型重掺杂基板、位于P型重掺杂基板上的P型轻掺杂外延,所述P型轻掺杂外延中形成有P阱,其特征在于:所述电连接结构为一沟槽,所述沟槽的底部位于基板内,沟槽内填充有多晶硅,沟槽和多晶硅注入有P型杂质。 |
地址 |
201206 上海市浦东新区川桥路1188号 |