半导体器件及其制造方法

摘要

公开了一种用于制造半导体器件的方法。在衬底的腔室中且邻近衬底中的隔离结构形成应变材料。应变材料具有位于衬底的表面上方的角部。所公开的方法提供了改进方法，该改进方法用于形成邻近隔离结构并具有位于衬底腔室中的增加部分的应变材料，从而增强载流子迁移率并且提升器件性能。在实施例中，采用蚀刻工艺通过去除至少一部分角部来再分布应变材料使其位于腔室中，从而实现改进的形成方法。本发明提供了半导体器件及其制造方法。

主权项

一种用于制造半导体器件的方法，包括：提供具有表面的衬底；在所述衬底中形成隔离部件；在所述衬底的所述表面上方形成栅叠层；在所述衬底中形成凹进腔，其中，将所述凹进腔水平地设置在所述栅叠层和所述隔离部件之间；在所述凹进腔中形成外延(epi)材料，其中，所述外延材料具有位于所述凹进腔上方的角部；以及实施蚀刻工艺以再分布至少一部分所述角部使其位于所述凹进腔中。