发明名称 | 在蚀刻高纵横比结构中降低微负载的方法 | ||
摘要 | 提供一种在导电层中蚀刻不同纵横比的特征的方法。该方法包括:利用依赖纵横比的沉积在该导电层上方沉积;利用对该导电层的依赖纵横比的蚀刻将特征蚀刻进该导电层;以及至少重复一次该沉积和该蚀刻。 | ||
申请公布号 | CN101730930B | 申请公布日期 | 2013.04.10 |
申请号 | CN200880018762.7 | 申请日期 | 2008.06.02 |
申请人 | 朗姆研究公司 | 发明人 | 符谦;刘身健;李源哲;布赖恩·普 |
分类号 | H01L21/3065(2006.01)I | 主分类号 | H01L21/3065(2006.01)I |
代理机构 | 上海胜康律师事务所 31263 | 代理人 | 周文强;李献忠 |
主权项 | 一种在导电层中蚀刻不同纵横比的特征的方法,包括利用依赖纵横比的沉积在该导电层上方沉积,其中该沉积有选择地在较宽特征底部比在较窄特征的底部和该特征的侧壁上沉积更多;利用对该导电层的依赖纵横比的蚀刻将特征蚀刻进该导电层,其中该蚀刻有选择地蚀刻该较宽特征比该较窄特征快,该蚀刻去除沉积物,并且对该较窄特征中的沉积物蚀刻在该较宽特征之前完成,以及该较窄特征处的该导电层的蚀刻在该较宽特征之前开始;至少重复一次该沉积和该蚀刻;其中该沉积在该特征被明显缩窄之前停止。 | ||
地址 | 美国加利福尼亚州 |