| 发明名称 | 半导体面发光元件以及其制造方法 | ||
| 摘要 | 本发明所涉及的半导体面发光元件其特征在于具备：光子晶体层（6），周期性地将多个孔（H）形成于由闪锌矿型结构的第1化合物半导体构成的基本层（6A）内，并且使由闪锌矿型结构的第2化合物半导体构成的埋入层（6B）在孔（H）内生长；活性层（4），对光子晶体层（6）提供光；基本层（6A）的主表面为（001）面，孔（H）的侧面具有至少不同的3个{100}面。 | ||
| 申请公布号 | CN103038959A | 申请公布日期 | 2013.04.10 |
| 申请号 | CN201180037546.9 | 申请日期 | 2011.06.21 |
| 申请人 | 浜松光子学株式会社;国立大学法人京都大学 | 发明人 | 广瀬和义;古田慎一;渡边明佳;杉山贵浩;柴田公督;黑坂刚孝;野田进 |
| 分类号 | H01S5/18(2006.01)I;H01L33/22(2006.01)I | 主分类号 | H01S5/18(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京尚诚知识产权代理有限公司 11322 | 代理人 | 杨琦 |
| 主权项 | 一种半导体面发光元件，其特征在于：具备：光子晶体层，周期性地将多个孔形成于由闪锌矿型结构的第1化合物半导体构成的基本层内，并且使由闪锌矿型结构的第2化合物半导体构成的埋入层在所述孔内生长而成；和活性层，对所述光子晶体层提供光，所述基本层的主表面为（001）面，所述孔的侧面包含至少不同的3个{100}面或者围绕所述主表面的法线以小于±35度的旋转角度使这些面旋转的面。 | ||
| 地址 | 日本静冈县 | ||