发明名称 开关电源的极限峰值电流检测电路
摘要 本发明提供了一种开关电源的极限峰值电流检测电路,包括:基准电流源,其输出端经由第一电阻接地;电压比较器,其正输入端连接基准电流源的输出端;功率MOSFET晶体管,其控制端连接电压比较器的输出端;功率MOSFET晶体管的输出端直接接地;检测MOSFET晶体管,其控制端连接电压比较器的输出端,其输出端连接电压比较器的负输入端并且经由第二电阻接地,其输入端连接功率MOSFET晶体管的输入端,基准电流源具有正温度系数,第一电阻和第二电阻的比值与温度无关,检测MOSFET晶体管和功率MOSFET晶体管的导通电阻的比值与温度无关。本发明能够实现对极限峰值电流检测的温度补偿,并有利于降低成本、减小功耗损失。
申请公布号 CN103033669A 申请公布日期 2013.04.10
申请号 CN201210580800.6 申请日期 2012.12.27
申请人 杭州士兰微电子股份有限公司 发明人 周伟江
分类号 G01R19/04(2006.01)I;G01R19/32(2006.01)I 主分类号 G01R19/04(2006.01)I
代理机构 上海专利商标事务所有限公司 31100 代理人 陆嘉
主权项 一种开关电源的极限峰值电流检测电路,包括:基准电流源,其输出端经由第一电阻接地;电压比较器,其正输入端连接所述基准电流源的输出端;功率MOSFET晶体管,其控制端连接所述电压比较器的输出端;其特征在于,所述功率MOSFET晶体管的输出端直接接地;所述极限峰值电流检测电路还包括:检测MOSFET晶体管,其控制端连接所述电压比较器的输出端,其输出端连接所述电压比较器的负输入端并且经由第二电阻接地,其输入端连接所述功率MOSFET晶体管的输入端,其中所述基准电流源具有正温度系数,所述第一电阻和第二电阻的比值与温度无关,所述检测MOSFET晶体管和功率MOSFET晶体管的导通电阻的比值与温度无关。
地址 310012 浙江省杭州市黄姑山路4号