发明名称 |
开关电源的极限峰值电流检测电路 |
摘要 |
本发明提供了一种开关电源的极限峰值电流检测电路,包括:基准电流源,其输出端经由第一电阻接地;电压比较器,其正输入端连接基准电流源的输出端;功率MOSFET晶体管,其控制端连接电压比较器的输出端;功率MOSFET晶体管的输出端直接接地;检测MOSFET晶体管,其控制端连接电压比较器的输出端,其输出端连接电压比较器的负输入端并且经由第二电阻接地,其输入端连接功率MOSFET晶体管的输入端,基准电流源具有正温度系数,第一电阻和第二电阻的比值与温度无关,检测MOSFET晶体管和功率MOSFET晶体管的导通电阻的比值与温度无关。本发明能够实现对极限峰值电流检测的温度补偿,并有利于降低成本、减小功耗损失。 |
申请公布号 |
CN103033669A |
申请公布日期 |
2013.04.10 |
申请号 |
CN201210580800.6 |
申请日期 |
2012.12.27 |
申请人 |
杭州士兰微电子股份有限公司 |
发明人 |
周伟江 |
分类号 |
G01R19/04(2006.01)I;G01R19/32(2006.01)I |
主分类号 |
G01R19/04(2006.01)I |
代理机构 |
上海专利商标事务所有限公司 31100 |
代理人 |
陆嘉 |
主权项 |
一种开关电源的极限峰值电流检测电路,包括:基准电流源,其输出端经由第一电阻接地;电压比较器,其正输入端连接所述基准电流源的输出端;功率MOSFET晶体管,其控制端连接所述电压比较器的输出端;其特征在于,所述功率MOSFET晶体管的输出端直接接地;所述极限峰值电流检测电路还包括:检测MOSFET晶体管,其控制端连接所述电压比较器的输出端,其输出端连接所述电压比较器的负输入端并且经由第二电阻接地,其输入端连接所述功率MOSFET晶体管的输入端,其中所述基准电流源具有正温度系数,所述第一电阻和第二电阻的比值与温度无关,所述检测MOSFET晶体管和功率MOSFET晶体管的导通电阻的比值与温度无关。 |
地址 |
310012 浙江省杭州市黄姑山路4号 |