发光二极管的制备方法

摘要

本发明提供一种发光二极管的制备方法，包括以下步骤：提供一发光二极管芯片预制体，所述发光二极管芯片预制体包括依次层叠设置的第一半导体层、活性层及第二半导体层；在所述第二半导体层表面设置一图案化的掩模层，所述图案化的掩模层包括多个并排延伸的条形凸起结构，相邻的条形凸起结构之间形成一沟槽；刻蚀所述第二半导体层，使所述掩模层中相邻的多个条形凸起结构依次两两闭合；去除所述掩模层，在所述第二半导体层远离活性层的表面形成多个M形三维纳米结构；刻蚀所述第二半导体层及活性层，暴露出第一半导体层部分表面；设置一第一电极与所述第二半导体层电连接；以及在暴露的第一半导体层表面设置一第二电极与所述第一半导体层电连接。

主权项

一种发光二极管的制备方法，包括以下步骤：提供一发光二极管芯片预制体，所述发光二极管芯片预制体包括依次层叠设置的第一半导体层、活性层及第二半导体层；在所述第二半导体层表面设置一图案化的掩模层，所述图案化的掩模层包括多个并排延伸的条形凸起结构，相邻的条形凸起结构之间形成一沟槽，所述第二半导体层通过该沟槽暴露出来；刻蚀所述第二半导体层，使所述掩模层中相邻的多个条形凸起结构依次两两闭合，形成多个三维纳米结构预制体；去除所述掩模层，在所述第二半导体层远离活性层的表面形成多个M形三维纳米结构；刻蚀所述第二半导体层及活性层，暴露出第一半导体层的部分表面；设置一第一电极与所述第二半导体层电连接；以及在暴露的第一半导体层表面设置一第二电极与所述第一半导体层电连接。