| 发明名称 | 肖特基二极管 | ||
| 摘要 | 本发明公开了一种肖特基二极管，包括N型衬底上的N型外延，N型外延中的深沟槽，深沟槽中具有二氧化硅层，深沟槽中的二氧化硅层内侧具有多晶硅区，在深沟槽之间的N型外延上方具有肖特基接触区，肖特基接触区上具有金属层，其中，所述二氧化硅层的厚度大于1000埃，多晶硅区与所述金属层通过金属线连接。本发明的肖特基二极管，在深沟槽中填充的二氧化硅层厚度大于1000埃时能耐受80V以上的高压。 | ||
| 申请公布号 | CN103035751A | 申请公布日期 | 2013.04.10 |
| 申请号 | CN201210509046.7 | 申请日期 | 2012.11.23 |
| 申请人 | 上海华虹NEC电子有限公司 | 发明人 | 王飞 |
| 分类号 | H01L29/872(2006.01)I;H01L29/06(2006.01)I | 主分类号 | H01L29/872(2006.01)I |
| 代理机构 | 上海浦一知识产权代理有限公司 31211 | 代理人 | 丁纪铁 |
| 主权项 | 一种肖特基二极管，包括N型衬底上的N型外延，N型外延中的深沟槽，深沟槽中具有二氧化硅层，深沟槽中的二氧化硅层内侧具有多晶硅区，在深沟槽之间的N型外延上方具有肖特基接触区，肖特基接触区上具有金属层，多晶硅区与所述金属层通过金属线连接，其特征是：所述二氧化硅层的厚度大于1000埃。 | ||
| 地址 | 201206 上海市浦东新区川桥路1188号 | ||