具有穿通抑制的先进晶体管

摘要

一种具有穿通抑制的先进晶体管，包括具有长度Lg的栅极，掺杂为具有第一掺杂剂浓度的阱，以及定位在所述栅极下方且具有第二掺杂剂浓度的屏蔽区域。所述第二掺杂剂浓度可以大于5×10个掺杂剂原子/cm。至少一个穿通抑制区域设置在所述栅极下方且在所述屏蔽区域与所述阱之间。所述穿通抑制区域具有介于所述第一掺杂剂浓度与所述第二掺杂剂浓度之间的第三掺杂剂浓度。可以将偏置电压施加到所述阱区域以调节所述晶体管的阈值电压。

主权项

一种场效应晶体管结构，包括：阱，掺杂为具有第一掺杂剂浓度；屏蔽层，注入到所述阱中，并且具有大于5×1018个掺杂剂原子/cm3的第二掺杂剂浓度；以及至少一个穿通抑制区域，具有介于所述第一掺杂剂浓度与所述第二掺杂剂浓度之间的第三掺杂剂浓度，并且所述穿通抑制区域定位在栅极下方且在所述屏蔽区域与所述阱之间。