一种在单块芯片上集成高性能器件与低功耗器件的制造方法

摘要

本发明属于半导体器件制造技术领域，具体涉及一种在单块芯片上集成碰撞电离场效应晶体管（IMOS）与隧穿场效应晶体管（TFET）的制造方法，其中通过控制第三次离子注入的剂量，不仅可以制造出相同沟道类型的TFET和与IMOS，还可以制造出不同沟道类型的TFET与IMOS直接构成反相器结构。本发明所提出的在单块芯片上集成IMOS器件和TFET器件的制造方法，不仅可以用于高速高性能集成电路制造，还可以用于低功耗集成电路制造；而且由于是在单块芯片上同时制造，降低了生产成本。

主权项

一种在单块芯片上集成碰撞电离场效应晶体管与隧穿场效应晶体管的制造方法，其特征在于具体步骤包括：提供一个绝缘体上的硅衬底，该硅衬底包括硅衬底层、二氧化硅中间层和单晶硅顶层；第一次离子注入，在单晶硅顶层底部形成具有第一种掺杂类型的第一掺杂区；第二次离子注入，在单晶硅顶层顶部形成具有第二种掺杂类型的第二掺杂区；淀积第一层光刻胶，并光刻形成图形；第三次离子注入，第三次离子注入的能量高于第二次离子注入的能量，使得没有光刻胶覆盖的第二掺杂区部分的深度加深，形成具有第二种掺杂类型的第三掺杂区；剥除第一层光刻胶；淀积第二层光刻胶，并光刻形成图形；刻蚀硅层，形成器件的源区与沟道区部分；剥除第二层光刻胶；形成第一层绝缘薄膜；形成第一层导电薄膜；刻蚀所述第一层绝缘薄膜、第一层导电薄膜形成器件的栅极结构；淀积第三层光刻胶，并光刻形成图形；刻蚀部分所述具有第一种掺杂类型的第一掺杂区，形成器件隔离结构；剥除第三层光刻胶；形成第二层绝缘薄膜，并刻蚀所述第二层绝缘薄膜形成接触孔；形成金属接触。