| 发明名称 | 电熔丝结构及其形成方法 | ||
| 摘要 | 本发明提出一种电熔丝结构及其形成方法，所述电熔丝结构设置于半导体基底上，所述半导体基底包括至少两个浅沟槽隔离，所述电熔丝结构包括：可熔导体层，在所述半导体基底上覆盖两个所述浅沟槽隔离的表面；阴极和阳极，位于所述可熔导体层之上，所述阴极和阳极分别位于两个所述浅沟槽隔离的上方。该电熔丝结构适用于更小尺寸的集成电路，并且可以与高k介质金属栅工艺兼容。 | ||
| 申请公布号 | CN102347309B | 申请公布日期 | 2013.04.10 |
| 申请号 | CN201010246391.7 | 申请日期 | 2010.08.05 |
| 申请人 | 中国科学院微电子研究所 | 发明人 | 闫江 |
| 分类号 | H01L23/525(2006.01)I;H01L21/768(2006.01)I | 主分类号 | H01L23/525(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京市立方律师事务所 11330 | 代理人 | 马佑平 |
| 主权项 | 一种电熔丝结构，其特征在于，所述电熔丝结构设置于半导体基底上，所述半导体基底包括至少两个浅沟槽隔离，所述电熔丝结构包括：可熔导体层，在所述半导体基底上覆盖两个所述浅沟槽隔离的表面和所述沟槽隔离之间的半导体基底的表面；阴极和阳极，位于所述可熔导体层之上，所述阴极和阳极分别位于两个所述浅沟槽隔离的上方；其中，阴极和阳极之间连接部分的可熔导体层直接覆盖在所述半导体基底的表面。 | ||
| 地址 | 100029 北京市朝阳区北土城西路3号 | ||