| 发明名称 | 多波长发光二极管芯片 | ||
| 摘要 | 本发明公开了一种多波长发光二极管芯片，通过其具有纳米等级的光致发光材料所组成的量子点层，使整体发光二极管芯片除了发光层之外，还能产生其余波长的光；通过调控量子点层中纳米晶体的颗粒大小，凭借着多波长光的优势，本发明在发光二极管芯片出光颜色的表现上将更具灵活性。 | ||
| 申请公布号 | CN103022287A | 申请公布日期 | 2013.04.03 |
| 申请号 | CN201210459155.2 | 申请日期 | 2012.11.15 |
| 申请人 | 璨圆光电股份有限公司 | 发明人 | 徐国伟;叶俊逸;丁逸圣;郑惟纲;潘锡明 |
| 分类号 | H01L33/04(2010.01)I | 主分类号 | H01L33/04(2010.01)I |
| 代理机构 | 苏州威世朋知识产权代理事务所(普通合伙) 32235 | 代理人 | 杨林洁 |
| 主权项 | 一种多波长发光二极管芯片，其特征在于，包括：一第一半导体层；一发光层，设于所述第一半导体层上；一第二半导体层，设于所述发光层上；及一量子点层，设于所述第二半导体层上；其中，所述量子点层为一半导体光致发光材料，并可发出一光波长。 | ||
| 地址 | 中国台湾桃园县龙潭乡龙潭科技园区龙园一路99号 | ||