| 发明名称 | 用于半导体存储器的布局 | ||
| 摘要 | 本发明公开了一种半导体存储器，该半导体存储器包括第一导电层和第二导电层，所述第一导电层包括连接到第一位单元的第一对位线，所述第二导电层包括与连接到述第一位单元的第二对位线。所述第一导电层和所述第二导电层在纵向彼此分开。本发明还公开了用于半导体存储器的布局。 | ||
| 申请公布号 | CN103022008A | 申请公布日期 | 2013.04.03 |
| 申请号 | CN201210021136.1 | 申请日期 | 2012.01.30 |
| 申请人 | 台湾积体电路制造股份有限公司 | 发明人 | 廖忠志 |
| 分类号 | H01L23/538(2006.01)I;H01L27/11(2006.01)I;G11C11/413(2006.01)I | 主分类号 | H01L23/538(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京德恒律师事务所 11306 | 代理人 | 陆鑫;房岭梅 |
| 主权项 | 一种半导体存储器，包括：第一导电层，包括连接到第一位单元的第一对位线；第二导电层，包括连接到所述第一位单元的第二对位线；其中，所述第一导电层和所述第二导电层在纵向彼此分开。 | ||
| 地址 | 中国台湾新竹 | ||