| 发明名称 | 化合物半导体器件及其制造方法 | ||
| 摘要 | 本发明提供一种化合物半导体器件及其制造方法。一个化合物半导体器件的实施方案包括：衬底；形成在衬底上的化合物半导体堆叠结构；和形成在衬底和化合物半导体堆叠结构之间的非晶绝缘膜。 | ||
| 申请公布号 | CN103022117A | 申请公布日期 | 2013.04.03 |
| 申请号 | CN201210262950.2 | 申请日期 | 2012.07.26 |
| 申请人 | 富士通株式会社 | 发明人 | 中村哲一;山田敦史;尾崎史朗;今西健治 |
| 分类号 | H01L29/778(2006.01)I;H01L21/335(2006.01)I;H02M5/458(2006.01)I;H03F3/189(2006.01)I | 主分类号 | H01L29/778(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人 | 顾晋伟;董文国 |
| 主权项 | 一种化合物半导体器件，包括：衬底；形成在所述衬底上的化合物半导体堆叠结构；和形成在所述衬底和所述化合物半导体堆叠结构之间的非晶绝缘膜。 | ||
| 地址 | 日本神奈川县 | ||