不对称灵敏放大器

摘要

一种用来判断存储单元状态的检测电路，包括灵敏放大器。灵敏放大器包括不均衡交叉耦合锁存器、其沟道耦合到位线BL与第一输出节点之间的第一栅极FET以及其沟道耦合到BLB与第二输出节点之间的第二栅极FET。不均衡交叉耦合锁存器被包括位于第一输出节点与连接到电接地的使能FET之间的第一下拉FET，以及位于第二输出节点与使能FET之间的第二下拉FET。第二下拉FET与第二栅极FET的沟道宽度大于第一下拉FET的沟道宽度与第一栅极FET的沟道宽度，从而增强对连接到灵敏放大器的存储单元中保存的1和0的检测能力。

主权项

一种灵敏放大器，包括：耦合到存储单元的位线BL和反位线BLB上的不均衡交叉耦合锁存器ICL，其中所述ICL的第一数据输入耦合到所述位线BL以及所述ICL的第二数据输入耦合到所述反位线BLB，所述不均衡交叉耦合锁存器被配置用于在所述位线上的值与所述反位线BLB上的值之间的差值超过阈值时输出逻辑低值，以及在所述差值不超过所述阈值时输出逻辑高值，所述不均衡交叉耦合锁存器还耦合到预充电控制信号，所述预充电控制信号在所述不均衡交叉耦合锁存器通过判断所述位线上的值和所述反位线上的值之间的差值检测存储单元的存储信息之前使得所述ICL的第一数据输入或者第二数据输入达到特定的电压电位，所述不均衡交叉耦合锁存器包括：第一下拉场效应晶体管FET，所述第一下拉FET的沟道通过使能FET的沟道耦合在第一输出节点与电接地之间，以及第二下拉场效应晶体管FET，所述第二下拉FET的沟道通过所述使能FET的沟道耦合在第二输出节点与电接地之间；第一栅极FET，所述第一栅极FET的沟道耦合在所述BL与所述第一输出节点之间；以及第二栅极FET，所述第二栅极FET的沟道耦合在所述BLB与所述第二输出节点之间；其中所述第一下拉FET的栅极端耦合到所述第二输出节点上；其中所述第二下拉FET的栅极端耦合到所述第一输出节点上；其中所述第二下拉FET的沟道宽度大于所述第一下拉FET的沟道宽度以增强对所述存储单元中保存的1的检测；以及其中所述第二栅极FET的沟道宽度大于所述第一栅极FET的沟道宽度以增强对所述存储单元中保存的0的检测。