薄膜晶体管

摘要

一种薄膜晶体管，包括基板、沟道层、源极、漏极和栅极，沟道层设置在基板上，源极和漏极分别设置在该沟道层的相对两侧并与该沟道层电连接，该栅极位于沟道层的上方或者下方，栅极与沟道层之间设置有栅绝缘层，沟道层采用第一氧化物半导体材料制成，源极和漏极采用第二氧化物半导体材料制成，且第二氧化物半导体材料的禁带宽度小于第一氧化物半导体材料的禁带宽度。上述过程无需通过在沟道层上掺杂的方式使源极和漏极的载流子浓度高于沟道层，从而使制备过程简单，降低薄膜晶体管的制作成本。

主权项

一种薄膜晶体管，包括基板、沟道层、源极、漏极和栅极，沟道层设置在基板上，源极和漏极分别设置在该沟道层的相对两侧并与该沟道层电连接，该栅极位于沟道层的上方或者下方，栅极与沟道层之间设置有栅绝缘层，其特征在于，沟道层采用第一氧化物半导体材料制成，源极和漏极采用第二氧化物半导体材料制成，且第二氧化物半导体材料的禁带宽度小于第一氧化物半导体材料的禁带宽度。