| 发明名称 | 阵列基板、显示装置及制备方法 | ||
| 摘要 | 本发明公开了一种阵列基板、显示装置及制备方法，涉及显示技术领域。该阵列基板，包括：基板、多晶硅层、栅绝缘层和金属层；所述多晶硅层设置在所述基板的上方，包括：沟道区以及所述沟道区两侧的离子掺杂区；所述栅绝缘层设置在所述多晶硅层的上方；所述金属层包括由同种金属材料构成的栅电极、源极、漏极、栅线和数据线。本发明采用PR胶作为阻挡层的方式代替栅电极作为阻挡层的方式进行离子掺杂，降低了注入的掺杂离子向沟道区扩散导致的短沟道效应，同时也减小了栅源漏之间的耦合电容，从而提高了TFT的工作性能。 | ||
| 申请公布号 | CN103022145A | 申请公布日期 | 2013.04.03 |
| 申请号 | CN201210430039.8 | 申请日期 | 2012.10.31 |
| 申请人 | 京东方科技集团股份有限公司 | 发明人 | 马占洁 |
| 分类号 | H01L29/786(2006.01)I;H01L27/02(2006.01)I;H01L21/77(2006.01)I;H01L21/266(2006.01)I;G03F7/00(2006.01)I | 主分类号 | H01L29/786(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京路浩知识产权代理有限公司 11002 | 代理人 | 王莹 |
| 主权项 | 一种阵列基板，包括：基板、多晶硅层、栅绝缘层和金属层；所述多晶硅层设置在所述基板的上方，包括：沟道区以及所述沟道区两侧的离子掺杂区；所述栅绝缘层设置在所述多晶硅层的上方；其特征在于，所述金属层包括由同种金属材料构成的栅电极、源极、漏极、栅线和数据线。 | ||
| 地址 | 100015 北京市朝阳区酒仙桥路10号 | ||