| 发明名称 | 在单晶圆装置中蚀刻氮化硅 | ||
| 摘要 | 本发明公开了一种单晶圆蚀刻装置和在单晶圆装置中实施的各种方法。在实例中，在单晶圆蚀刻装置中蚀刻氮化硅层包括：将磷酸加热至第一温度；将硫酸加热至第二温度；将经过加热的磷酸和经过加热的硫酸混合；将磷酸/硫酸混合物加热至第三温度；以及利用经过加热的磷酸/硫酸混合物蚀刻氮化硅层。本发明还提供了一种在单晶圆装置中蚀刻氮化硅。 | ||
| 申请公布号 | CN103021829A | 申请公布日期 | 2013.04.03 |
| 申请号 | CN201210236318.0 | 申请日期 | 2012.07.06 |
| 申请人 | 台湾积体电路制造股份有限公司 | 发明人 | 于伟波;吕学青;周汉源;黄国彬;陈昭成;章勋明 |
| 分类号 | H01L21/306(2006.01)I | 主分类号 | H01L21/306(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京德恒律治知识产权代理有限公司 11409 | 代理人 | 章社杲;孙征 |
| 主权项 | 一种方法，包括：在单晶圆蚀刻装置中蚀刻氮化硅层，其中，所述蚀刻氮化硅层包括：将磷酸加热至第一温度；将硫酸加热至第二温度；将经过加热的磷酸与经过加热的硫酸相混合；以及利用经过加热的磷酸/硫酸混合物蚀刻所述氮化硅层。 | ||
| 地址 | 中国台湾新竹 | ||