| 发明名称 | 一种通过碱腐蚀改善硅片腐蚀表面外观的加工工艺 | ||
| 摘要 | 本发明涉及一种修复硅片表面的碱腐蚀片加工工艺，包括如下步骤：步骤一、配制碱腐蚀溶液：按重量百分比取30%-60%的KOH或NaOH与去离子水进行配制；步骤二、腐蚀温度：105℃至115℃；步骤三、腐蚀时间：1分钟至10分钟；步骤四、腐蚀去除量：4微米至10微米，本发明的优点及效果：本发明是通过调整碱腐蚀工艺之后，成功制备出修复硅片表面的单晶硅碱腐蚀片，降低半导体制造成本。 | ||
| 申请公布号 | CN103021832A | 申请公布日期 | 2013.04.03 |
| 申请号 | CN201210508281.2 | 申请日期 | 2012.12.03 |
| 申请人 | 天津中环领先材料技术有限公司 | 发明人 | 张俊生;刘沛然;齐钊;刘博;李晓东 |
| 分类号 | H01L21/306(2006.01)I | 主分类号 | H01L21/306(2006.01)I |
| 代理机构 | 天津中环专利商标代理有限公司 12105 | 代理人 | 莫琪 |
| 主权项 | 一种通过碱腐蚀改善硅片腐蚀表面外观的加工工艺，其特征在于，包括如下步骤：（一）、配制碱腐蚀溶液：按重量百分比取30%‑60%的KOH或NaOH与去离子水进行配制；（二）、腐蚀温度：105℃至115℃；（三）、腐蚀时间：1分钟至10分钟；（四）、单晶硅碱腐片去除量：4微米至8微米。 | ||
| 地址 | 300384 天津市西青区华苑产业区（环外）海泰发展二12号 | ||