| 发明名称 | MOS管电阻器 | ||
| 摘要 | 本发明公开了一种MOS管电阻器，包括第一电阻端子、第二电阻端子、以及位于该第一电阻端子和第二电阻端子之间的单向导通电阻单元，该单向导通电阻单元包括第一PMOS管和第二PMOS管，该第一PMOS管的衬底引出极和该第二PMOS管的衬底引出极保持电位浮空。本发明的MOS管电阻器，结构简单，占用面积小，易于芯片集成。 | ||
| 申请公布号 | CN103022034A | 申请公布日期 | 2013.04.03 |
| 申请号 | CN201210572798.8 | 申请日期 | 2012.12.25 |
| 申请人 | 上海贝岭股份有限公司 | 发明人 | 李鹏;张亮;吴艳辉;陈丽;陈宁;谢雪松 |
| 分类号 | H01L27/08(2006.01)I | 主分类号 | H01L27/08(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京金信立方知识产权代理有限公司 11225 | 代理人 | 刘锋;刘世杰 |
| 主权项 | 一种MOS管电阻器，其特征在于，包括第一电阻端子、第二电阻端子、以及位于该第一电阻端子和第二电阻端子之间的单向导通电阻单元，该单向导通电阻单元包括第一PMOS管和第二PMOS管，其中，该第一PMOS管的第一P掺杂区域引出极和该第一电阻端子相连接，该第一PMOS管的栅极和该第一PMOS管的第二P掺杂区域引出极相连接；该第二PMOS管的第一P掺杂区域引出极和该第一PMOS管的第二P掺杂区域引出极相连接，该第二PMOS管的栅极和该第二PMOS管的第二P掺杂区域引出极相连接，该第二PMOS管的第二P掺杂区域引出极和该第二电阻端子相连接；并且，该第一PMOS管的衬底引出极和该第二PMOS管的衬底引出极保持电位浮空。 | ||
| 地址 | 200233 上海市徐汇区宜山路810号 | ||