| 发明名称 | 一种集成保护二极管的大功率半导体激光芯片 | ||
| 摘要 | 本发明公开了一种集成保护二极管的大功率半导体激光芯片结构，属于半导体激光技术领域。本发明在现有大功率半导体激光器外延材料体系基础上增加生长二极管，该二极管可以防止浪涌和静电等不利因素对半导体激光芯片的损伤，起到保护器件，延长使用寿命的作用。 | ||
| 申请公布号 | CN103022891A | 申请公布日期 | 2013.04.03 |
| 申请号 | CN201210515020.3 | 申请日期 | 2012.12.04 |
| 申请人 | 北京工业大学 | 发明人 | 王智勇;尧舜;潘飞 |
| 分类号 | H01S5/00(2006.01)I;H01L27/06(2006.01)I;H01L21/82(2006.01)I | 主分类号 | H01S5/00(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京思海天达知识产权代理有限公司 11203 | 代理人 | 魏聿珠 |
| 主权项 | 一种集成保护二极管的大功率半导体激光芯片，其特征在于：在半导体激光器芯片上选择非发光区域进行刻蚀，生长与发光区域掺杂类型相反的二极管。 | ||
| 地址 | 100124 北京市朝阳区平乐园100号 | ||