发明名称 |
一种渐变折射率减反膜太阳能电池及其制备方法 |
摘要 |
本发明公开了一种渐变折射率减反膜太阳能电池制备方法,包括以下步骤:在硅片正面形成绒面;在硅片正面进行P扩散,然后去除所述硅片正面的磷硅玻璃和周边P扩散层;在所述硅片正面形成渐变折射率减反膜;在所述硅片背面形成背电极和铝背场;在所述硅片正面形成正电极。相应地,本发明还提供一种渐变折射率减反膜太阳能电池。本发明的方法以及该方法制备的太阳能电池电学性能好,衰减小。 |
申请公布号 |
CN103022254A |
申请公布日期 |
2013.04.03 |
申请号 |
CN201210562990.9 |
申请日期 |
2012.12.21 |
申请人 |
浙江正泰太阳能科技有限公司 |
发明人 |
石强;韩玮智;牛新伟;蒋前哨;李永辉;仇展炜 |
分类号 |
H01L31/18(2006.01)I;H01L31/0216(2006.01)I |
主分类号 |
H01L31/18(2006.01)I |
代理机构 |
北京汉昊知识产权代理事务所(普通合伙) 11370 |
代理人 |
冯谱 |
主权项 |
一种渐变折射率减反膜太阳能电池制备方法,其中,包括以下步骤:a)在硅片正面形成绒面;b)在所述硅片正面进行P扩散,然后去除所述硅片正面的磷硅玻璃和周边P扩散层;c)在所述硅片正面形成渐变折射率减反膜;d)在所述硅片背面形成背电极和铝背场;e)在所述硅片正面形成正电极;其特征在于:所述步骤c)中进一步包括:c1)在所述硅片正面形成减反膜;c2)以氨气、氮气中的一种或其混合气体为注入源对所述减反膜进行N注入,通过设备调节实现N在所述减反膜中的特定注入深度和浓度;c3)进行退火,将所述减反膜中的N进一步推进到指定深度,其中,经过N注入的所述减反膜形成渐变折射率层,未经过N注入的所述减反膜称为钝化层,所述渐变折射率层和所述钝化层组成渐变折射率减反膜。 |
地址 |
310053 浙江省杭州市滨江区滨安路1335号 |