发明名称 一种渐变折射率减反膜太阳能电池及其制备方法
摘要 本发明公开了一种渐变折射率减反膜太阳能电池制备方法,包括以下步骤:在硅片正面形成绒面;在硅片正面进行P扩散,然后去除所述硅片正面的磷硅玻璃和周边P扩散层;在所述硅片正面形成渐变折射率减反膜;在所述硅片背面形成背电极和铝背场;在所述硅片正面形成正电极。相应地,本发明还提供一种渐变折射率减反膜太阳能电池。本发明的方法以及该方法制备的太阳能电池电学性能好,衰减小。
申请公布号 CN103022254A 申请公布日期 2013.04.03
申请号 CN201210562990.9 申请日期 2012.12.21
申请人 浙江正泰太阳能科技有限公司 发明人 石强;韩玮智;牛新伟;蒋前哨;李永辉;仇展炜
分类号 H01L31/18(2006.01)I;H01L31/0216(2006.01)I 主分类号 H01L31/18(2006.01)I
代理机构 北京汉昊知识产权代理事务所(普通合伙) 11370 代理人 冯谱
主权项 一种渐变折射率减反膜太阳能电池制备方法,其中,包括以下步骤:a)在硅片正面形成绒面;b)在所述硅片正面进行P扩散,然后去除所述硅片正面的磷硅玻璃和周边P扩散层;c)在所述硅片正面形成渐变折射率减反膜;d)在所述硅片背面形成背电极和铝背场;e)在所述硅片正面形成正电极;其特征在于:所述步骤c)中进一步包括:c1)在所述硅片正面形成减反膜;c2)以氨气、氮气中的一种或其混合气体为注入源对所述减反膜进行N注入,通过设备调节实现N在所述减反膜中的特定注入深度和浓度;c3)进行退火,将所述减反膜中的N进一步推进到指定深度,其中,经过N注入的所述减反膜形成渐变折射率层,未经过N注入的所述减反膜称为钝化层,所述渐变折射率层和所述钝化层组成渐变折射率减反膜。
地址 310053 浙江省杭州市滨江区滨安路1335号
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