发明名称 |
III族氮化物衬底、设置有外延层的衬底、制造上述衬底的方法以及制造半导体器件的方法 |
摘要 |
本发明涉及III族氮化物衬底、设置有外延层的衬底、制造上述衬底的方法以及制造半导体器件的方法。GaN衬底(1)为如下之一:一种III族氮化物衬底,其中每平方厘米表面(3)的酸性物质原子个数为2×1014以下,并且每平方厘米表面(3)的硅原子个数为3×1013以下;一种III族氮化物衬底,其中每平方厘米表面(3)的硅原子个数为3×1013以下,并且表面(3)的浊度为5ppm以下;以及一种III族氮化物衬底,其中每平方厘米表面(3)的酸性物质原子个数为2×1014以下,并且表面(3)的浊度为5ppm以下。 |
申请公布号 |
CN103014866A |
申请公布日期 |
2013.04.03 |
申请号 |
CN201210441633.7 |
申请日期 |
2007.10.09 |
申请人 |
住友电气工业株式会社 |
发明人 |
石桥惠二;八乡昭广;入仓正登;中畑成二 |
分类号 |
C30B29/38(2006.01)I;H01L21/205(2006.01)I;H01L21/304(2006.01)I;H01L33/00(2010.01)I |
主分类号 |
C30B29/38(2006.01)I |
代理机构 |
中原信达知识产权代理有限责任公司 11219 |
代理人 |
杨海荣;穆德骏 |
主权项 |
一种III族氮化物衬底,其中每平方厘米表面的氯原子的个数为2×1014以下,并且每平方厘米所述表面的硅原子的个数为3×1013以下,其中所述III族氮化物衬底选自由GaN制成的衬底、由AlN制成的衬底或其混晶衬底。 |
地址 |
日本大阪府大阪市 |