发明名称 |
用于可挠性高分子基板之透明导电薄膜的制备方法与透明导电薄膜 |
摘要 |
一种用于可挠性高分子基板之透明导电薄膜的制备方法与透明导电薄膜。该制备方法包含以下步骤:(a)于高分子基板上沉积相堆叠之氧化物与导电金属;(b)对导电金属施加预定电位,诱使氧化物升温产生结晶效应而具电性,并使导电金属原子扩散掺杂于氧化物中,而制成具电性之透明导电薄膜,且导电金属被通电诱发之热温度低于高分子基板之耐热温度值。透过对初镀膜之层状结构物进行通电热处理的方法,可在低于高分子基板的耐热温度环境下,快速且有效地诱使氧化物产生结晶效应,并使导电金属原子扩散入氧化物中,提升氧化物之结晶度与电性。 |
申请公布号 |
TWI391951 |
申请公布日期 |
2013.04.01 |
申请号 |
TW098131914 |
申请日期 |
2009.09.22 |
申请人 |
吕传盛 台北市中山区兴安街34号之1 2楼;洪飞义 高雄市凤山区凤燕一街60号 |
发明人 |
吕传盛;洪飞义;王文龙 |
分类号 |
H01B1/02;H01B1/08;H01B5/14 |
主分类号 |
H01B1/02 |
代理机构 |
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代理人 |
高玉骏 台北市松山区南京东路3段248号7楼;杨祺雄 台北市松山区南京东路3段248号7楼 |
主权项 |
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地址 |
高雄市凤山区凤燕一街60号 |