发明名称 固态电解质记忆元件及其制造方法
摘要 一种固态电解质记忆元件的制造方法。此方法包括在基底上形成绝缘层。接着,在绝缘层上形成导电层。之后,在导电层中形成至少两个开口,其部分重叠连通,以使导电层形成至少一对自动对准的尖端电极。其后,在开口中填入固态电解质。
申请公布号 TWI392087 申请公布日期 2013.04.01
申请号 TW096127233 申请日期 2007.07.26
申请人 财团法人工业技术研究院 新竹县竹东镇中兴路4段195号 发明人 林哲歆
分类号 H01L27/10 主分类号 H01L27/10
代理机构 代理人 詹铭文 台北市中正区罗斯福路2段100号7楼之1;萧锡清 台北市中正区罗斯福路2段100号7楼之1
主权项
地址 新竹县竹东镇中兴路4段195号