发明名称 |
固态电解质记忆元件及其制造方法 |
摘要 |
一种固态电解质记忆元件的制造方法。此方法包括在基底上形成绝缘层。接着,在绝缘层上形成导电层。之后,在导电层中形成至少两个开口,其部分重叠连通,以使导电层形成至少一对自动对准的尖端电极。其后,在开口中填入固态电解质。 |
申请公布号 |
TWI392087 |
申请公布日期 |
2013.04.01 |
申请号 |
TW096127233 |
申请日期 |
2007.07.26 |
申请人 |
财团法人工业技术研究院 新竹县竹东镇中兴路4段195号 |
发明人 |
林哲歆 |
分类号 |
H01L27/10 |
主分类号 |
H01L27/10 |
代理机构 |
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代理人 |
詹铭文 台北市中正区罗斯福路2段100号7楼之1;萧锡清 台北市中正区罗斯福路2段100号7楼之1 |
主权项 |
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地址 |
新竹县竹东镇中兴路4段195号 |