发明名称 |
多层陶瓷电子元件及其制造方法 |
摘要 |
本发明提供一种多层陶瓷电子元件及其制造方法,该多层陶瓷电子元件包括:具有介电层的陶瓷主体;以及陶瓷主体内的被布置为彼此相对且介电层介于其间的内电极,其中,当介电层的平均厚度为td且内电极的平均厚度为te时,满足0.1μm≤te≤0.5μm和(td+te)/te≤2.5,并且,当内电极的虚拟表面粗糙度中线上的平均表面粗糙度为Ra且内电极的十点平均粗糙度为Rz时,满足5nm≤Ra≤30nm、150nm≤Rz≤td/2以及8≤Rz/Ra≤20。通过提高介电层和内电极之间的粘附强度和耐压特性,该多层陶瓷电子元件具有良好的可靠性。 |
申请公布号 |
CN103000371A |
申请公布日期 |
2013.03.27 |
申请号 |
CN201110439700.7 |
申请日期 |
2011.12.23 |
申请人 |
三星电机株式会社 |
发明人 |
金钟翰;郑贤哲;朴宰满 |
分类号 |
H01G4/30(2006.01)I;H01G4/005(2006.01)I;H01G4/12(2006.01)I |
主分类号 |
H01G4/30(2006.01)I |
代理机构 |
北京康信知识产权代理有限责任公司 11240 |
代理人 |
余刚;吴孟秋 |
主权项 |
一种多层陶瓷电子元件,包括:陶瓷主体,包括介电层;以及第一和第二内电极,位于所述陶瓷主体内,被布置为彼此相对且所述介电层介于其间,其中,当所述介电层的平均厚度为td且所述内电极的平均厚度为te时,满足0.1μm≤te≤0.5μm和(td+te)/te≤2.5,并且,当所述内电极的虚拟表面粗糙度中线上的平均表面粗糙度为Ra且所述内电极的十点平均粗糙度为Rz时,满足5nm≤Ra≤30nm、150nm≤Rz≤td/2以及8≤Rz/Ra≤20。 |
地址 |
韩国京畿道 |