集成电路的制造方法以及在晶片上产生激光标记的装置

摘要

本发明提出一种集成电路的制造方法及在晶片上产生激光标记的装置，该方法包括：提供一晶片；测量一晶片的一反射率值；通过该反射率值而决定用于激光标记该晶片的一最佳能量程度；以及发射具有该最佳能量程度的一激光，以于该晶片上产生激光标记。本发明的优点在于降低传输产品至客户的生产周期且由于最佳化了激光能量而降低了激光微粒的飞溅情形。此外，也不需要采用人工激光标记以修复不清楚的晶片辨识码，因而无错误操作的发生。

主权项

一种集成电路的制造方法，包括： 提供一晶片； 测量该晶片的一反射率值； 通过该反射率值而决定用于激光标记该晶片的一能量程度；以及 发射具有该能量程度的一激光，以于该晶片上产生激光标记。