| 发明名称 | 三氯硅烷制造装置及三氯硅烷制造方法 | ||
| 摘要 | 本发明提供一种三氯硅烷制造装置及三氯硅烷制造方法，即使在反应炉上部也可使从反应炉下部导入的氯化氢气体有效地参与反应，提高反应效率。在三氯硅烷制造装置中，利用氯化氢气体使供给到反应炉内的金属硅粉末一边流动一边发生反应，从反应炉的上部取出通过该反应生成的三氯硅烷。在反应炉的内部空间中沿上下方向设有多根气流控制构件。 | ||
| 申请公布号 | CN101417804B | 申请公布日期 | 2013.03.27 |
| 申请号 | CN200810170083.3 | 申请日期 | 2008.10.22 |
| 申请人 | 三菱麻铁里亚尔株式会社 | 发明人 | 稻叶力 |
| 分类号 | C01B33/107(2006.01)I | 主分类号 | C01B33/107(2006.01)I |
| 代理机构 | 中国专利代理(香港)有限公司 72001 | 代理人 | 温大鹏 |
| 主权项 | 一种三氯硅烷制造装置，包括：反应炉(2)；原材料供给装置(3)，向上述反应炉(2)内供给作为原材料的金属硅粉末；气体供给装置(4)，为了使上述金属硅粉末与氯化氢气体一边流动一边反应而向上述反应炉(2)供给上述氯化氢气体；气体排出装置(5)，将含有通过反应生成的三氯硅烷的气体从上述反应炉(2)的上部取出；多根气流控制构件(32)，以沿水平方向相互隔开间隔的方式沿垂直方向设置在上述反应炉(2)的中央空间部，多根传热管(31)，在上述反应炉(2)的内部空间中，包围上述气流控制构件(32)，沿水平方向相互隔开间隔地沿上下方向配置，入口管(33)与出口管(34)，所述入口管(33)与出口管(34)设置在上述反应炉(2)中，以上述传热管(31)为热介质通路而使热介质流动，在上述气流控制构件(32)中未形成热介质通路。 | ||
| 地址 | 日本东京都 | ||