发明名称 |
一种太阳能电池AZO减反射膜制备方法 |
摘要 |
一种太阳电池AZO减反射膜制备方法,其工艺步骤如下:①将基片装载在射频磁控溅射设备的小车上;②抽真空,使射频磁控溅射设备腔体真空度达到1x10-4Pa;③开启加热电源,给基片加热,加热温度范围为150~200℃;④当基片达到所需温度后,通入Ar和H2混合气体,Ar:H2质量流量比为60:1~100:1;⑤开启射频电源,并调整电源功率密度至0.5W/cm2~1.5W/cm2;⑥将射频磁控溅射设备腔体压强调到0.3~0.35Pa;⑦使小车开始行走;控制制备时间为35~40分钟;然后关闭射频电源、气体和加热电源,并排除残余气体。本发明所制备的AZO减反膜具有金字塔形貌,平均电阻率为1.7x10-4Ω·cm;在可见光范围内AZO减反膜平均透过率大于90%;AZO减反膜绒度为9.1%~12.2%;AZO减反膜表面粗糙度小于25nm。 |
申请公布号 |
CN102254799B |
申请公布日期 |
2013.03.27 |
申请号 |
CN201110240066.4 |
申请日期 |
2011.08.19 |
申请人 |
中国科学院电工研究所 |
发明人 |
刁宏伟;王文静;赵蕾;周春兰;李海玲;陈静伟;闫宝军 |
分类号 |
H01L21/203(2006.01)I;H01L31/18(2006.01)I |
主分类号 |
H01L21/203(2006.01)I |
代理机构 |
北京科迪生专利代理有限责任公司 11251 |
代理人 |
关玲 |
主权项 |
一种太阳能电池AZO减反射膜制备方法,其特征在于,所述的制备方法工艺步骤如下:1)将制备用的基片装载在射频磁控溅射设备的小车上,将射频磁控溅射设备的溅射靶与基片间的间距调整为3~5cm;2)开启真空抽气阀抽真空,使射频磁控溅射设备腔体达到真空度1x10‑4Pa;3)开启加热电源,给基片加热,加热温度范围为150~200℃;4)当基片达到所需温度后,通入Ar和H2混合气体,Ar:H2质量流量比为60:1~100:1;5)开启射频电源,并调整电源功率密度至0.5W/cm2~1.5W/cm2;6)将射频磁控溅射设备腔体压强调到0.3~0.35Pa;7)开启小车电源,使小车开始行走;此时对制备时间开始计时,制备时间为35~40分钟;8)达到所述的制备时间后,关闭射频电源,关闭气体,关闭加热电源,最后给所述的磁控溅射设备腔体抽真空,排除残余气体;至此本发明太阳能电池AZO减反射膜制备完毕。 |
地址 |
100190 北京市海淀区中关村北二条6号 |