| 发明名称 | 具有空穴注入传输层的器件及其制造方法、以及用于形成空穴注入传输层的墨液 | ||
| 摘要 | 本发明提供一种制造工艺简单且可以实现长寿命的器件。所述器件的特征在于，具有在基板上对置的2个以上电极和配置在其中的2个电极间的空穴注入传输层，所述空穴注入传输层含有钼络合物的反应产物或钨络合物的反应产物。 | ||
| 申请公布号 | CN102017216B | 申请公布日期 | 2013.03.27 |
| 申请号 | CN200980114948.7 | 申请日期 | 2009.04.28 |
| 申请人 | 大日本印刷株式会社 | 发明人 | 上野滋弘;冈田政人;桥本庆介 |
| 分类号 | H01L51/50(2006.01)I;H01L21/28(2006.01)I;H01L29/417(2006.01)I;H01L29/786(2006.01)I;H01L51/05(2006.01)I;H01L51/30(2006.01)I;H05B33/10(2006.01)I | 主分类号 | H01L51/50(2006.01)I |
| 代理机构 | 中科专利商标代理有限责任公司 11021 | 代理人 | 张宝荣 |
| 主权项 | 一种具有空穴注入传输层的器件，其特征在于，所述器件具有在基板上对置的2个以上电极和配置在其中的2个电极间的空穴注入传输层，所述空穴注入传输层含有钼络合物的反应产物或钨络合物的反应产物，该钼络合物的反应产物或钨络合物的反应产物分别是，含有钼络合物或钨络合物、和具有羧基和/或羟基的有机溶剂的墨液通过氧化还原反应，所述钼络合物或钨络合物的至少一部分成为钼氧化物或钨氧化物而得到的。 | ||
| 地址 | 日本国东京都 | ||