硅基板的制造方法及硅基板

摘要

本发明是一种硅基板的制造方法，其具备以下工序：第1热处理工序，其使用快速加热和快速冷却装置，在包含氮化膜形成环境气体、稀有气体及氧化性气体中的至少一种气体的第1环境中，在高于1300℃且为硅的熔点以下的第1温度保持1～60秒，来对硅基板实施快速热处理；以及第2热处理工序，其接续该第1热处理工序，控制在第2温度及第2环境，并在经前述控制的第2温度及第2环境中，对前述硅基板实施快速热处理，该第2温度及第2环境是用以抑制前述硅基板内部因空孔而产生缺陷。由此，提供一种硅基板的制造方法、及通过该方法所制得的硅基板，该硅基板，在距离表面至少1μm的深度，此深度成为组件制作区域，不存在氧析出物、COP、OSF等的会被RIE法所检测到的缺陷(RIE缺陷)，并且生命周期是500μsec以上。

主权项

一种硅基板的制造方法，其是制造硅基板的方法，其特征在于，其至少具备以下工序：第1热处理工序，该工序对从由柴氏法所成长的单晶硅晶棒切割出来的硅基板，使用快速加热和快速冷却装置，在包含氮化膜形成环境气体、稀有气体及氧化性气体中的至少一种气体的第1环境中，在高于1300℃且为硅的熔点以下的第1温度保持1～60秒，来实施快速热处理；以及第2热处理工序，该工序接续该第1热处理工序，控制在第2温度及第2环境，并在经前述控制的第2温度及第2环境中，对前述硅基板实施快速热处理，该第2温度及第2环境是用以抑制前述硅基板内部因空孔而产生缺陷。