| 发明名称 | 应变Ge沟道器件及其形成方法 | ||
| 摘要 | 本发明提出一种应变Ge沟道器件，包括：表面具有氧化物绝缘层的硅衬底；形成在所述氧化物绝缘层之上的Ge层，其中，Ge层与氧化物绝缘层之间形成有第一钝化薄层；形成在所述Ge层之上的栅堆叠；形成在所述栅堆叠之下的沟道区，以及形成在沟道区两侧的漏极和源极，其中，漏极和源极为SiGe1-xCx以使所述沟道区产生张应变，其中，0≤x≤1。通过本发明实施例形成的SiGe1-xCx源极和漏极形成的Ge沟道器件，不仅结构简单，并且工艺难度低，便于形成。此外，通过本发明实施例形成的SiGe1-xCx源极和漏极可以使Ge沟道器件的沟道区产生张应变，从而提高Ge沟道器件性能。 | ||
| 申请公布号 | CN102184954B | 申请公布日期 | 2013.03.27 |
| 申请号 | CN201110058128.X | 申请日期 | 2011.03.10 |
| 申请人 | 清华大学 | 发明人 | 王敬;许军;郭磊 |
| 分类号 | H01L29/78(2006.01)I;H01L29/06(2006.01)I;H01L29/16(2006.01)I;H01L21/762(2006.01)I;H01L21/336(2006.01)I | 主分类号 | H01L29/78(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京清亦华知识产权代理事务所(普通合伙) 11201 | 代理人 | 张大威 |
| 主权项 | 一种应变Ge沟道器件，其特征在于，包括：表面具有氧化物绝缘层的硅衬底；形成在所述氧化物绝缘层之上的Ge层，其中，所述Ge层与所述氧化物绝缘层之间形成有第一钝化薄层；形成在所述Ge层之上的栅堆叠；和形成在所述栅堆叠之下的沟道区，以及形成在沟道区两侧的漏极和源极，其中，所述漏极和源极为SiGe1‑xCx以使所述沟道区产生张应变，其中，0≤x≤1，其中，所述第一钝化薄层为锶锗化物薄层或钡锗化物薄层。 | ||
| 地址 | 100084 北京市海淀区100084-82信箱 | ||