发明名称 |
离子布植机及其磁铁磁极与分析器磁铁及电荷中和改良方法 |
摘要 |
本发明揭露一种藉由束缚一离子布植机的一磁铁的一磁性区域内之电子,以降低电子损耗且因此改良一低能量射束之输送效率,从而改良邻近该离子布植机的该磁铁之空间电荷中和的方法以及装置。提供一用于一离子布植机之一磁铁的磁极部件,前述磁极部件包括一外表面,其具有形成邻近前述磁极部件的磁场集中区的多个磁场集中部件。遭遇该增强的磁场的电子沿相同磁场线反弹回去而不是经允许而逃逸。本发明亦提供一分析器磁铁以及包括前述磁极之离子布植机,因此实现了一改良一离子布植机中之低能量离子束空间电荷中和的方法。 |
申请公布号 |
TWI390580 |
申请公布日期 |
2013.03.21 |
申请号 |
TW094140582 |
申请日期 |
2005.11.18 |
申请人 |
瓦里安半导体设备公司 美国 |
发明人 |
雷诺 安东尼;欧尔森 约瑟C;陈昇吾;贝福 詹姆士 |
分类号 |
H01J37/143 |
主分类号 |
H01J37/143 |
代理机构 |
|
代理人 |
詹铭文 台北市中正区罗斯福路2段100号7楼之1;萧锡清 台北市中正区罗斯福路2段100号7楼之1 |
主权项 |
|
地址 |
美国 |