半导体记忆装置

摘要

本发明提供一种用于使非挥发性半导体记忆装置稳定动作之动作方式。于分割闸极构造之非挥发性半导体记忆装置中实施热电洞注入时，利用不产生时间变化之交点，实行热电洞注入动作之验证。藉此，可在不考虑时效变化下而实行删除状态之验证。又，藉由对于闸极部施加复数次脉冲电压或多级阶跃电压，实行写入或写入/删除。