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Es wird eine Sperrschicht-Schottky-Diode beschrieben, bei der ein Ansteigen der Einschaltspannung durch eine ausreichende Ausbreitung des Stromes zum unteren Abschnitt eines p+-Sperrschichtbereichs unterdrückt wird. Die Sperrschicht-Schottky-Diode hat einen Aufbau mit einem n-Bereich mit einer relativ hohen Dotierstoffkonzentration im Vergleich zur Konzentration in der n–-Driftschicht, wobei der n-Bereich sich im unteren Abschnitt des p+-Sperrschichtbereichs befindet.
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