发明名称 |
一种射频功率放大器及前端发射机 |
摘要 |
本发明涉及通信技术领域,具体涉及一种射频功率放大器,包括线性度补偿电路和放大器,所述线性度补偿电路和所述放大器通过并联的形式连接在一起,所述的线性度补偿电路由一级射频放大器晶体管和使该放大器晶体管产生增益压缩的偏置电路构成,所述射频功率放大器偏置在AB类状态。本发明产生线性化补偿的电路由通过偏置电路的自适应调节,使得该级射频放大器晶体管的偏置电流随着输入功率增加而增大,增加该射频放大器晶体管在比较高的功率输入的情况下的增益,从而产生增益膨胀,通过与另外一级放大器的并联连接,可以用所产生的增益膨胀来补偿后一级放大器的增益压缩,从而提高功率放大器的线性度。 |
申请公布号 |
CN102111112B |
申请公布日期 |
2013.03.20 |
申请号 |
CN200910312387.3 |
申请日期 |
2009.12.28 |
申请人 |
中国科学院微电子研究所 |
发明人 |
张宗楠;郝明丽;张海瑛 |
分类号 |
H03F3/20(2006.01)I;H03F3/189(2006.01)I |
主分类号 |
H03F3/20(2006.01)I |
代理机构 |
北京市德权律师事务所 11302 |
代理人 |
王建国 |
主权项 |
一种射频功率放大器,其特征在于:包括线性度补偿电路和放大器,所述线性度补偿电路和所述放大器之间为并联连接;所述的线性度补偿电路由一级射频放大器晶体管和使该放大器晶体管产生增益膨胀的偏置电路构成,所述射频功率放大器偏置在AB类状态;所述偏置电路由晶体管(Q2)、二极管(D1)、二极管(D2)以及电阻(R1)构成;所述晶体管(Q2)的集电极与基极之间通过电阻(R1)连接;晶体管(Q2)的基极通过串联的二极管(D1)和二极管(D2)接地,二极管(D1)的正极与晶体管(Q2)的基极相连接,二极管(D2)的负极与地相连接;晶体管(Q2)的发射极与线性度补偿电路的输入端相连接。 |
地址 |
100029 北京市朝阳区北土城西路3号中科院微电子所 |