发明名称 |
比较器的前级差分放大电路 |
摘要 |
本实用新型公开了一种比较器的前级差分放大电路。该电路的第一输出端(OUT1)和第二输出端(OUT2)连接比较器的两个输入端,所述前级差分放大电路包括:第一PMOS晶体管(P1)、第二PMOS晶体管(P2)、第三PMOS晶体管(P3)、第四PMOS晶体管(P4)、第一NMOS晶体管(N1)、第二NMOS晶体管(N2)、第三NMOS晶体管(N3)、第四NMOS晶体管(N4)、第五NMOS晶体管(N5)和第六NMOS晶体管(N6)。本实用新型的有益效果是:该电路可以将输入到比较器的差分信号放大,避免了比较器的盲区,使得比较器的工作范围更宽,适用范围更广。 |
申请公布号 |
CN202798591U |
申请公布日期 |
2013.03.13 |
申请号 |
CN201220472766.6 |
申请日期 |
2012.09.17 |
申请人 |
郑州单点科技软件有限公司 |
发明人 |
王纪云;余力;王晓娟 |
分类号 |
H03F3/45(2006.01)I |
主分类号 |
H03F3/45(2006.01)I |
代理机构 |
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代理人 |
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主权项 |
一种比较器的前级差分放大电路,其特征在于,该电路的第一输出端(OUT1)和第二输出端(OUT2)连接比较器的两个输入端,所述前级差分放大电路包括:第一PMOS晶体管(P1)、第二PMOS晶体管(P2)、第三PMOS晶体管(P3)、第四PMOS晶体管(P4)、第一NMOS晶体管(N1)、第二NMOS晶体管(N2)、第三NMOS晶体管(N3)、第四NMOS晶体管(N4)、第五NMOS晶体管(N5)和第六NMOS晶体管(N6);所述第一PMOS晶体管(P1)的源极连接电压源(VDD),栅极连接第二PMOS晶体管(P2)的栅极,漏极连接第一NMOS晶体管(N1)的漏极;所述第二PMOS晶体管(P2)的源极连接电压源(VDD),漏极连接第二输出端(OUT2)、第三NMOS晶体管(N3)的漏极和第四NMOS晶体管(N4)的漏极;所述第三PMOS晶体管(P3)的源极连接电压源(VDD),栅极连接第四PMOS晶体管(P4)的栅极,漏极连接第二NMOS晶体管(N2)的漏极;所述第四PMOS晶体管(P4)的源极连接电压源(VDD),漏极连接第一输出端(OUT1)、第五NMOS晶体管(N5)的漏极和第六NMOS晶体管(N6)的漏极;所述第一NMOS晶体管(N1)的栅极连接第一输入端(N1),源极通过恒流源(I)接地;所述第二NMOS晶体管(N2)的栅极连接第二输入端(N2),源极通过恒流源(I)接地;所述第三NMOS晶体管(N3)的栅极连接第五NMOS晶体管(N5)的栅极,源极接地;所述第四NMOS晶体管(N4)的栅极连接第六NMOS晶体管(N6)的栅极,源极接地;第五NMOS晶体管(N5)的源极和第六NMOS晶体管(N6)的源极均接地。 |
地址 |
450016 河南省郑州市经济技术开发区第八大街信息产业园1228室 |