| 发明名称 | 半导体器件、温度传感器和制造半导体器件的方法 | ||
| 摘要 | 本发明涉及半导体器件、温度传感器和制造半导体器件的方法。根据一个实施方式，半导体器件包括半导体基底和半导体基底上的非晶半绝缘层。 | ||
| 申请公布号 | CN102969225A | 申请公布日期 | 2013.03.13 |
| 申请号 | CN201210320887.3 | 申请日期 | 2012.08.31 |
| 申请人 | 英飞凌科技股份有限公司 | 发明人 | 格哈德·施密特 |
| 分类号 | H01L21/02(2006.01)I;G01K7/18(2006.01)I | 主分类号 | H01L21/02(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京康信知识产权代理有限责任公司 11240 | 代理人 | 余刚;吴孟秋 |
| 主权项 | 一种半导体器件，包括：半导体基底；所述半导体基底上的非晶半绝缘层。 | ||
| 地址 | 德国瑙伊比贝尔格市 | ||