发明名称 单相多铁材料及其制备方法
摘要 本发明公开了一类层状单相多铁材料,该材料的通式为ABM2O5,其中A为Na,K,Rb,Cs的一种或多种;B为Bi,Pb的一种或多种;M为Mn,Fe,Co,Ni,Cu的一种或多种,本发明同时提供了该多铁材料的水热制备方法和高温固相制备方法。该类材料是一种新发现的具有非钙钛矿结构的层状结构类型材料,在材料结构中,四配位的M离子之间相互作用形成了G-type型反铁磁自旋排列,促使自旋发生倾斜而表现出净磁矩的产生,而A(Bi3+、Pb2+)离子的6s2孤对电子是样品呈现铁电性的来源。这类多铁材料在信息存储、自旋器件以及传感器方面有广阔的应用前景。
申请公布号 CN102249350B 申请公布日期 2013.03.13
申请号 CN201110124749.3 申请日期 2011.05.13
申请人 北京大学 发明人 林建华;张刚华;李国宝;黄富强
分类号 C01G53/04(2006.01)I;C01G51/04(2006.01)I;C01G49/00(2006.01)I;C01G45/12(2006.01)I 主分类号 C01G53/04(2006.01)I
代理机构 北京万象新悦知识产权代理事务所(普通合伙) 11360 代理人 贾晓玲
主权项 一种单相多铁材料,该材料具有层状结构,其特征在于,所述材料的通式为ABM2O5,其中A为Na,K,Rb,Cs的一种或多种;B为Bi,Pb的一种或多种;M为Mn,Fe,Co,Ni,Cu的一种或多种。
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