一种铜大马士革结构的形成方法

摘要

本发明提供一种铜大马士革结构的形成方法，其包括在衬底上，沉积层间介电质和牺牲层，并图形化所述光刻胶；以图形化的光刻胶为掩膜，刻蚀所述牺牲层和层间介电质，形成金属互连线沟槽；于所述沟槽内，依序淀积阻挡层和金属互连线；通过化学机械平坦化工艺，去除多余的铜、阻挡层和牺牲层，最终形成铜大马士革结构。因此，通过本发明的方法，在层间介电质上淀积一层牺牲层来代替原有的介电质抗反射涂层，既能减少光刻胶的驻波效应，提高光刻性能；又能作为蚀刻工艺中的牺牲层，减少铜大马士革结构中的层间介电质的损失，使得金属互连线的厚度增加并且稳定可控，提高了晶圆电学性能的可控性和稳定性。

主权项

一种铜大马士革结构的形成方法，其特征在于，所述的方法包括如下步骤：步骤S1：在衬底上，依序形成层间介电质、牺牲层和光刻胶，并图形化所述光刻胶，其中，所述牺牲层的材料是氮化硅或者氮化硅与钽、钽氮化物、钛、钛氮化物中一种或几种物质的组合；步骤S2：以图形化的光刻胶为掩膜，依序刻蚀所述牺牲层和层间介电质，以在所述层间介电质中形成金属互连线沟槽；步骤S3：于所述金属互连线沟槽内淀积阻挡层，填充铜金属，以形成金属互连线；步骤S4：通过化学机械平坦化工艺，去除多余的铜、阻挡层和牺牲层，最终形成铜大马士革结构。