发明名称 薄膜晶体管、使用该薄膜晶体管的阵列基板
摘要 本实用新型涉及平板显示技术领域,尤其涉及一种薄膜晶体管。该薄膜晶体管形成于一具有第一表面的基板上,包括第一栅极、第一栅绝缘层、第一有源块、第一阻挡块、第一源极、第一漏极及第一钝化层,第一栅极形成于第一表面上,第一栅绝缘层形成于第一栅极上,并覆盖第一栅极,第一有源块设置于第一栅极上方的第一栅绝缘层上,第一阻挡块设置于第一有源块上,第一源极和第一漏极间隔设置于第一有源块上,并覆盖部分第一阻挡块和部分第一栅绝缘层,第一钝化层设置于第一阻挡块上,其上设有第一通孔,第一有源块由氧化物半导体材料制成,且其在第一表面上的投影覆盖第一阻挡块在所述第一表面上的投影的一部分。
申请公布号 CN202796965U 申请公布日期 2013.03.13
申请号 CN201120544662.7 申请日期 2011.12.22
申请人 深圳莱宝高科技股份有限公司 发明人 王士敏;李俊峰;朱泽力;商陆平;李绍宗
分类号 H01L29/786(2006.01)I;H01L27/12(2006.01)I 主分类号 H01L29/786(2006.01)I
代理机构 代理人
主权项 一种阵列基板,包括具有第一表面的基板、形成于所述基板的第一表面上的多条扫描线、多条信号线、多个薄膜晶体管及多个像素电极,所述多条扫描线和多条信号线相互交叉在所述第一表面上定义出多个像素区域,所述多个薄膜晶体管分别设置于所述多个像素区域内,每一像素区域内至少设有一个所述薄膜晶体管,且每一所述薄膜晶体管分别与一所述扫描线和信号线直接或间接电性连接,其特征在于:所述薄膜晶体管包括第一栅极、第一栅绝缘层、第一有源块、第一阻挡块、第一源极、第一漏极及第一钝化层,所述第一栅极形成于所述基板的第一表面上,所述第一栅绝缘层形成于所述第一栅极上,并覆盖所述第一栅极及扫描线,所述第一有源块设置于所述第一栅极上方的第一栅绝缘层上,所述第一阻挡块设置于所述第一有源块上,所述第一源极和第一漏极间隔设置于所述第一有源块上,并覆盖部分所述第一阻挡块和部分第一栅绝缘层,所述第一钝化层设置于所述第一阻挡块上,其上设有多个第一通孔,所述多个薄膜晶体管的第一有源块形成一第一有源层图案,所述多个薄膜晶体管的第一阻挡块形成一第一阻挡层图案;每一所述像素电极位于一像素区域内,且像素电极设置于所述第一钝化层之上,通过所述第一通孔与一所述第一漏极电性连接。
地址 518057 广东省深圳市南山区高新技术产业园区朗山二路9号
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