半导体装置之制造方法

摘要

一种半导体装置之制造方法，包括：提供具有一第一主动区与一第二主动区之一半导体基底；形成一高介电常数介电层于该半导体基底上；形成一上盖层于该高介电常数介电层上；形成一第一金属层于该上盖层上，其中该第一金属层具有第一功函数；形成一罩幕层于该第一主动区内之该第一金属层上；利用该罩幕层以移除该第二主动区内之该第一金属层以及部份移除该上盖层之一部；以及形成一第二金属层于该第二主动区内之经部分移除之该上盖层上，其中该第二金属层具有一第二功函数。