制造半导体元件之方法

摘要

一种制造一半导体元件之方法，其包括在一半导体基板之上形成一传导层，选择性地移除该传导层以供形成一电阻元件及一闸电极，在该余留的传导层之侧壁之上形成数个侧壁间隔物，在具有该等侧壁间隔物的半导体基板之上形成一包含氮的第一绝缘薄膜，穿经该第一绝缘薄膜将离子植入该半导体基板，于穿经该第一绝缘薄膜将离子植入该半导体基板之后在该第一绝缘薄膜之上形成一包含氮的第二绝缘薄膜，以及选择性地移除该第一及第二绝缘薄膜，俾使得该第一及第二绝缘薄膜的至少一部分会余留在该半导体基板及该传导层之上。