发明名称 Intergral ausgebildete hocheffiziente mehrschichtige lichtemittierende Vorrichtung
摘要 Integral ausgebildete hocheffiziente mehrschichtige lichtemittierende Vorrichtung, aufweisend: einen Hitzeabfuhrsitz (1), der eine Kammer (11), die einen Aufnahmeraum hat und die an einer Oberseite des Hitzeabfuhrsitzes (1) ausgebildet ist, und eine Nut (111) aufweist, die in einem Boden der Kammer (11) ausgebildet ist und die zwei geneigte innere Seitenwände (1111) aufweist, so dass Licht mittels der zwei geneigten inneren Seitenwände (1111) aus der Kammer (11) heraus reflektiert wird, wobei der Hitzeabfuhrsitz (1) mindestens ein durchgehendes Loch (15) hat, das longitudinal darin ausgebildet ist; eine Mehrzahl von lichtemittierenden Chips (3), die in der Nut (11) angeordnet sind, wobei die lichtemittierenden Chips (3) voneinander beabstandet angeordnet sind und die lichtemittierenden Chips (3) mittels Drahtbondens unter Verwendung von Metalldrähten elektrisch miteinander verbunden sind; und einen Leiterrahmen (5), der in dem mindestens einen durchgehenden Loch (15) angeordnet ist, wobei ein oberer und ein unterer Abschnitt des mindestens einen durchgehenden Lochs (15) mittels...
申请公布号 DE202013100293(U1) 申请公布日期 2013.03.11
申请号 DE201320100293U 申请日期 2013.01.22
申请人 GEM WELTRONICS TWN CORPORATION 发明人
分类号 H01L25/075;H01L23/28;H01L23/36;H01L33/50;H01L33/54;H01L33/64 主分类号 H01L25/075
代理机构 代理人
主权项
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