发明名称 光电子半导体构件
摘要 在光电子半导体构件(1)的至少一个实施形式中,所述光电子半导体构件包括载体(2)以及至少一个光电子半导体芯片(3),所述半导体芯片施加在载体上侧(20)上。此外,半导体构件(1)包括至少一个接合线(4),经由所述接合线来电接触半导体芯片(3),以及包括至少一个覆盖体部(5),所述覆盖体部施加在辐射主侧(30)上,并且超出接合线(4)。至少一个反射的浇注块(6)在横向方向上包围半导体芯片(3),并且至少伸展到半导体芯片(3)的辐射主侧(30)。接合线(4)由反射的浇注块(6)或由反射的浇注块(6)连同覆盖体部(5)一起完全遮盖。
申请公布号 CN102959746A 申请公布日期 2013.03.06
申请号 CN201180031298.7 申请日期 2011.06.10
申请人 欧司朗光电半导体有限公司 发明人 约翰·拉姆琴;大卫·拉奇;汉斯-克里斯托弗·加尔迈尔;斯特凡·格勒奇;西蒙·耶雷比奇
分类号 H01L33/62(2006.01)I;H01L33/46(2006.01)I;H01L25/075(2006.01)I;H01L33/44(2006.01)I;H01L33/50(2006.01)I;H01L33/54(2006.01)I;H01L31/0232(2006.01)I 主分类号 H01L33/62(2006.01)I
代理机构 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 代理人 张春水;田军锋
主权项 光电子半导体构件(1),具有‑载体(2),所述载体具有载体上侧(20),‑至少一个光电子半导体芯片(3),所述光电子半导体芯片施加在所述载体上侧(20)上,并且所述光电子半导体芯片具有背离所述载体上侧(20)的辐射主侧(30),‑至少一个接合线(4),经由所述接合线来电接触所述半导体芯片(3),‑在所述辐射主侧(30)上的至少一个覆盖体部(5),所述覆盖体部在远离所述载体上侧(20)并且垂直于所述辐射主侧(30)的方向上超出所述接合线(4),和‑至少一个反射的浇注块(6),所述浇注块在横向方向上包围所述半导体芯片(3),并且从所述载体上侧(20)起至少伸展到所述辐射主侧(30),其中所述接合线(4)由所述反射的浇注块(6)或由所述反射的浇注块(6)连同所述覆盖体部(5)一起完全遮盖。
地址 德国雷根斯堡