发明名称 |
利用纳米压印光刻技术的图案形成方法 |
摘要 |
本发明提供一种具有良好的对氧气的抗蚀刻性、同时可以防止转印图案的剥离、并且解决了在基板上的保持时间的问题、转印性也良好的用于纳米压印的膜形成组合物以及感光性光阻、纳米结构体、使用它们的图案形成方法以及用以实现所述图案形成方法的程序。本发明的用于纳米压印的膜形成组合物含有高分子硅化合物,所述高分子硅化合物具备产生光固化反应的功能。高分子硅化合物优选具有感应电磁波而断裂的官能团,且通过电磁波照射而产生固化反应的高分子硅化合物,更优选硅氧烷类高分子化合物、碳化硅类高分子化合物、聚硅烷类高分子化合物以及硅氮烷类高分子化合物中的一种或者它们的任意混合物。 |
申请公布号 |
CN101258018B |
申请公布日期 |
2013.03.06 |
申请号 |
CN200680032411.2 |
申请日期 |
2006.08.28 |
申请人 |
东京应化工业株式会社 |
发明人 |
坂本好谦;山下直纪;石川清 |
分类号 |
B29C59/02(2006.01)I;H01L21/027(2006.01)I;G03F7/075(2006.01)I;C09D183/00(2006.01)I |
主分类号 |
B29C59/02(2006.01)I |
代理机构 |
深圳新创友知识产权代理有限公司 44223 |
代理人 |
江耀纯 |
主权项 |
一种图案形成方法,其是利用纳米压印光刻技术的图案形成方法,其特征在于包含如下工序:层叠工序,将膜形成组合物层叠在基板上,形成膜形成组合物层;变形工序,将形成了凹凸结构图案的模型对着所述膜形成组合物层,向所述基板侧按压,从而使所述膜形成组合物层变形为所述凹凸结构图案;转印工序,在所述模型和所述膜形成组合物层抵接的状态下,对所述膜形成组合物层照射电磁波,从而形成光阻,并且使所述凹凸结构图案转印到所述光阻上;移除工序,将所述模型从所述光阻上移除;蚀刻工序,通过照射等离子体以及反应性离子的任一方或者两方,除去所述光阻的至少一部分,所述蚀刻工序是在蚀刻所述光阻的至少一部分的同时蚀刻所述基板,或者依次蚀刻所述光阻的至少一部分和所述基板;和光阻除去工序,将在基板上存在的光阻除去;所述膜形成组合物含有具备产生光固化反应的功能的高分子硅化合物和产酸剂以及产碱剂的任一方或者两方,所述高分子硅化合物具有感应电磁波而断裂的官能团,能通过电磁波照射而产生固化反应。 |
地址 |
日本国神奈川县 |