| 发明名称 | 离子注入方法、设备及形成轻掺杂结构的方法 | ||
| 摘要 | 本发明提供了一种离子注入方法、离子注入设备及形成轻掺杂结构的方法，形成轻掺杂结构的方法包括步骤：提供半导体衬底；发射离子束；将离子束进行加速，使得加速后的所述离子束包括至少两部分能量不同的第一部分离子和第二部分离子，其中所述第一部分离子的能量为第一能量，所述第二部分离子的能量为第二能量，且所述第一能量大于所述第二能量；将加速后的所述离子束进行偏转；将偏转后的所述离子入射所述半导体衬底。本发明采用在一次离子注入中注入不同能量的离子，使得形成的具有轻掺杂结构的MOS器件的饱和电流增大，而且漏电流减小，并且简化了离子注入工艺。 | ||
| 申请公布号 | CN101935824B | 申请公布日期 | 2013.03.06 |
| 申请号 | CN200910054410.3 | 申请日期 | 2009.07.03 |
| 申请人 | 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司;中芯国际集成电路制造（北京）有限公司 | 发明人 | 吴汉明;李家豪;陈军 |
| 分类号 | C23C14/48(2006.01)I;H01L21/265(2006.01)I | 主分类号 | C23C14/48(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人 | 李丽 |
| 主权项 | 一种离子注入方法，其特征在于，包括步骤：发射离子束；将所述离子束进行加速，使得加速后的离子束包括至少两部分能量不同的第一部分离子和第二部分离子，其中，所述第一部分离子的剂量和所述第二部分离子的剂量比值为1/9～9，所述第一部分离子的能量为第一能量，所述第二部分离子的能量为第二能量，且所述第一能量大于所述第二能量；将加速后的所述离子束进行偏转，使所述第一部分离子和所述第二部分离子的出射方向相同，其中，所述第一部分离子只经过一次偏转。 | ||
| 地址 | 201203 上海市浦东新区张江路18号 | ||