| 发明名称 | 半导体装置及其制作方法 | ||
| 摘要 | 本发明公开一种半导体装置及其制作方法，该半导体装置包括半导体基底、至少一第一鳍状结构、至少一第二鳍状结构、第一栅极、第二栅极、第一源极/漏极区以及第二源极/漏极区。半导体基底包括至少一第一有源区域用于设置第一鳍状结构以及至少一第二有源区域用于设置第二鳍状结构。第一栅极/第二栅极结构部分覆盖第一鳍状结构/第二鳍状结构，且第一鳍状结构/第二鳍状结构具有不同的应力。第一源极/漏极区/第二源极/漏极区分别设置于第一栅极/第二栅极两侧的第一鳍状结构/第二鳍状结构中。 | ||
| 申请公布号 | CN102956453A | 申请公布日期 | 2013.03.06 |
| 申请号 | CN201110238815.X | 申请日期 | 2011.08.19 |
| 申请人 | 联华电子股份有限公司 | 发明人 | 蔡腾群;吴俊元;刘志建;简金城;林进富 |
| 分类号 | H01L21/28(2006.01)I;H01L21/8238(2006.01)I;H01L29/423(2006.01)I;H01L27/092(2006.01)I | 主分类号 | H01L21/28(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京市柳沈律师事务所 11105 | 代理人 | 彭久云 |
| 主权项 | 一种制作半导体装置的方法，包括：提供半导体基底，该半导体基底具有第一有源区域以及第二有源区域；形成至少一第一鳍状结构于该第一有源区域上，而整个该第一鳍状结构具有第一应力；以及形成至少一第二鳍状结构于该第二有源区域上，而整个该第二鳍状结构具有不同于该第一应力的第二应力。 | ||
| 地址 | 中国台湾新竹科学工业园区 | ||