发明名称 有机薄膜电晶体及其制造方法
摘要 一种有机薄膜电晶体,此有机薄膜电晶体包括闸极、覆盖闸极的闸绝缘层、源极与汲极、有机半导体层、疏水层以及液滴状保护层。利用疏水层而分别于源极的表面以及汲极的表面形成一疏水性区域,同时,被疏水层暴露的有机半导体层形成一亲水性区域。利用表面张力而于有机半导体层上直接形成液滴状保护层,用以保护元件特性。因此,本发明提供一种制程简易的有机薄膜电晶体。此外,本发明另揭露一种有机薄膜电晶体的制造方法。
申请公布号 TWI388077 申请公布日期 2013.03.01
申请号 TW098104175 申请日期 2009.02.10
申请人 财团法人工业技术研究院 新竹县竹东镇中兴路4段195号 发明人 陈良湘;廖克斌;何家充
分类号 H01L51/05;H01L29/786 主分类号 H01L51/05
代理机构 代理人 詹铭文 台北市中正区罗斯福路2段100号7楼之1;萧锡清 台北市中正区罗斯福路2段100号7楼之1
主权项
地址 新竹县竹东镇中兴路4段195号