一种实现晶体硅电池组件电位诱发衰减合格的工艺

摘要

本发明公开了一种实现晶体硅电池组件电位诱发衰减合格的工艺，通过在晶体硅基体正面形成叠层复合膜的方式，实现晶体硅电池组件电位诱发衰减合格，具体步骤是：选取经过前处理的晶体硅基体，先采用管式PECVD工艺先在晶体硅基体正面沉积形成第一介质膜SiO2，接着在第一介质膜SiO2上沉积SiNx膜形成SiO2/SiNx叠层复合膜，晶体硅基体再经后续常规工序，获得电位诱发衰减合格的晶体硅电池。本发明通过在原有SiNx工艺基础上增加SiO2镀膜工艺，提高了硅片表面的钝化效果，同时优化了光路，提升了电池片品质，实现了电池组件PID合格，并且本发明工艺简单，与现有产线兼容性好，工业化可行性强，适合大规模推广使用。

主权项

一种实现晶体硅电池组件电位诱发衰减合格的工艺，其特征是：通过在晶体硅基体正面形成叠层复合膜的方式，实现晶体硅电池组件电位诱发衰减合格，具体步骤是：选取经过前处理的晶体硅基体，先采用管式PECVD工艺先在晶体硅基体正面沉积形成第一介质膜SiO2，接着在第一介质膜SiO2上沉积SiNx膜形成SiO2/SiNx叠层复合膜，晶体硅基体再经后续常规工序，获得电位诱发衰减合格的晶体硅电池。